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[发明专利]半导体装置以及其制造方法-CN201510071076.8有效
发明人：铃木真理子;酒井忠司 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2015-02-11 - 公布日： 2018-02-23 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：一种半导体装置以及其制造方法，实施方式的半导体装置具备p型的第一金刚石半导体层；表面被氧终止后的p型的第二金刚石半导体层，配置于第一金刚石半导体层上，且p型杂质浓度比第一金刚石半导体层的p型杂质浓度低；表面被氧终止后的多个n型的第三金刚石半导体层，配置于第二金刚石半导体层上；以及第一电极，配置于第二金刚石半导体层上以及第三金刚石半导体层上，且与第二金刚石半导体层形成第一接合，与第三金刚石半导体层形成第二接合
半导体装置及其制造方法

[发明专利]n型半导体金刚石的制造方法及半导体金刚石-CN03814068.3无效
发明人：难波晓彦;今井贵浩;西林良树 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2003-06-18 - 公布日： 2005-08-31 - 主分类号： C30B29/04 文献下载
摘要：加工金刚石{100}单晶基板(10)，形成金刚石{111}面后，一边在金刚石{111}面上掺杂n型掺杂剂一边使金刚石外延生长，形成n型金刚石外延层(20)。而且通过将上述方式得到的n型半导体金刚石和p型半导体金刚石、和未掺杂金刚石加以组合，采用p型半导体金刚石{100}单晶基板等，可以得到pn结型、pnp结型、npn结型及pin结型半导体金刚石。
半导体金刚石制造方法

[发明专利]一种晶型金刚石掺氮半导体复合材料及其制备方法-CN202110586165.1有效
发明人：余斌;余海粟;朱轶方;陆骁莹 -专利权人：杭州超然金刚石有限公司
申请日： 2021-05-27 - 公布日： 2022-01-04 - 主分类号： C23C16/27 文献下载
摘要：本发明公开了一种掺氮晶型金刚石半导体材料，属于金刚石半导体领域。其中，所述掺氮晶型金刚石半导体复合材料包括以高温高压法制得的IIa型金刚石晶体作为衬底材料，以CH4、Ar和NH3作为气体源，在衬底材料上生长出的掺氮晶型金刚石。本发明进一步公开了制备所述掺氮晶型金刚石半导体材料的方法。利用本发明制备的掺氮晶型金刚石半导体材料，具有较好的电学性能和半导体性能，可以推动金刚石半导体器件的发展，也将有助于金刚石基半导体器件的产业化发展。
一种金刚石半导体复合材料及其制备方法

[发明专利]一种低应力散热层半导体衬底及其制备方法和应用-CN201911397643.3在审
发明人：魏志鹏;郭德双;唐吉龙;王华涛;徐英添;范杰;郝永芹;王新伟;林逢源;王晓华;马晓辉 -专利权人：长春理工大学
申请日： 2019-12-30 - 公布日： 2020-04-14 - 主分类号： C23C16/505 文献下载
摘要：本发明涉及新型衬底材料技术领域，提供了一种低应力散热层半导体衬底及其制备方法和应用。本发明提供的低应力散热层半导体衬底由上至下依次为半导体衬底层、类金刚石缓冲层和金刚石薄膜层。本发明在半导体衬底层和金刚石薄膜层中间添加类金刚石缓冲层，类金刚石缓冲层和金刚石薄膜层构成低应力散热层，利用类金刚石缓冲层的缓冲作用，解决了半导体衬底和金刚石薄膜层之间由于不匹配的热膨胀系数引起的应力问题，类金刚石缓冲层有效降低了与半导体衬底间的应力；而且金刚石导电性能较差，本发明通过添加具有导电特性的类金刚石缓冲层，有效改善了金刚石导电性差导致的电极制备难度大的问题。
一种应力散热半导体衬底及其制备方法应用

[发明专利]多晶金刚石自立基板的制造方法-CN201980084289.0在审
发明人：古贺祥泰 -专利权人：胜高股份有限公司
申请日： 2019-10-10 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： C30B29/04 文献下载
摘要：本发明提供一种能够制造层叠有高品质的化合物半导体层的多晶金刚石自立基板的多晶金刚石自立基板的制造方法。将含有金刚石粒子的溶液涂布于化合物半导体基板(10)上，然后，对化合物半导体基板(10)实施热处理，由此使金刚石粒子(14)附着于化合物半导体基板(10)上。以金刚石粒子(14)为核心，通过化学气相沉积法，在化合物半导体基板(10)上使厚度为100μm以上的多晶金刚石层(16)生长。然后，对化合物半导体基板(10)进行减厚而形成化合物半导体层(18)。经这些工序，获得多晶金刚石层(16)作为化合物半导体层(18)的支撑基板而发挥作用的多晶金刚石自立基板(100)。
多晶金刚石自立制造方法

[发明专利]金刚石n型半导体及其制造方法、半导体元件及电子发射元件-CN200480033959.X无效
发明人：难波晓彦;西林良树;今井贵浩 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2004-11-17 - 公布日： 2006-12-20 - 主分类号： H01L29/16 文献下载
摘要：本发明涉及在较大的温度范围中充分降低载流子浓度的变化量的金刚石n型半导体等。该金刚石n型半导体，具备金刚石基板和在其主面上形成的被判定为n型的金刚石半导体。该金刚石半导体，在被判定为n型的温度区域内的一部分温度中，载流子浓度(电子浓度)的温度依存性显示负的相互关系的同时，霍尔系数的温度依存性显示正的相互关系。具有这种特性的金刚石n型半导体，例如可以通过一边将施主元素以外的杂质元素导入金刚石基板，一边形成大量掺入施主元素的金刚石半导体后获得。
金刚石半导体及其制造方法元件电子发射

[发明专利]一种半导体器件及其制造方法-CN202080102849.3在审
发明人：胡彬;段焕涛 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2020-10-30 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种半导体器件及其制造方法，半导体器件可以包括衬底，以及位于衬底上的外延层和电极，其中衬底中具有纵向贯穿衬底的金刚石结构，金刚石结构在纵向上可以分为第一金刚石部分和第一金刚石部分下方的第二金刚石部分，第一金刚石部分和第二金刚石部分的横向尺寸不同，由于金刚石结构的导热性能好，贯穿衬底的金刚石结构可以构成纵向的导热通道，提高半导体器件的散热性能，利于半导体器件的高功率性能的有效发挥。此外，第一金刚石部分和第二金刚石部分的横向尺寸不同，则利于控制第一金刚石部分和第二金刚石部分的结构，同时可以兼顾散热性能和外延层之间的晶格匹配，利于得到更高质量的外延层，利于得到高性能的半导体器件。
一种半导体器件及其制造方法

[发明专利]一种基于金刚石超晶格结构的半导体的制备方法及器件-CN202310312086.0在审
发明人：操焰;吴勇;王东;陈兴;黄永;韩超;陈军飞 -专利权人：西安电子科技大学芜湖研究院
申请日： 2023-03-27 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于金刚石超晶格结构的半导体的制备方法及器件，其中的方法包括如下步骤：在单晶金刚石衬底上多次交替生长金刚石P型掺杂层和本征金刚石层，形成超晶格半导体结构层；金刚石P型掺杂层和本征金刚石层的生长过程中，生长气体中甲烷所占的比例在3％～7％之间；在超晶格半导体结构层的器件表面形成氢终端；器件表面为超晶格半导体结构层中远离单晶金刚石衬底的本征金刚石层表面；在超晶格半导体结构层的器件表面上生长导电电极。本发明中的方法，能够减小制备得到的半导体器件内的位错，且能够提高其击穿电压较，减小其寄生电容。
一种基于金刚石晶格结构半导体制备方法器件

[发明专利]HTHP合成半导体人造金刚石的方法-CN201210499962.7有效
发明人：苑执中;李军旗 -专利权人：台钻科技（郑州）有限公司;富泰华精密电子（郑州）有限公司
申请日： 2012-11-30 - 公布日： 2013-03-27 - 主分类号： B01J3/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种HTHP合成半导体人造金刚石的方法。该方法是以单质硼为人造金刚石改性元素，以FeNiCo合金粉和高纯石墨粉为原材料，经混合、冷等静压、破碎、成型、真空高温焙烧、整形等工序制备合成半导体人造金刚石用石墨柱，再与叶腊石模、钢杯、氧化镁杯、石墨片、导电钢帽等附件组装，利用六面顶液压机以HTHP方式使石墨转化为半导体人造金刚石，再经化学处理即可得出优质半导体人造金刚石。本发明方法能通过调节原材料不同配比方式自由调控半导体人造金刚石电阻率，产量高，制备出的半导体人造金刚石比普通人造金刚石更耐高温，化学惰性更好，自锐性强。
hthp 合成半导体人造金刚石方法

[发明专利]新型硼磷共掺p型金刚石半导体材料及其制备方法-CN202110581441.5在审
发明人：李辉;刘胜;申胜男;邹迪玮;沈威 -专利权人：武汉大学深圳研究院
申请日： 2021-05-27 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： C23C16/27 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型硼磷共掺P型金刚石半导体材料及其制备方法。该种材料是硼、磷原子替代金刚石结构中碳原子而形成的一种硼‑硼‑磷掺杂结构的新型硼磷共掺P型金刚石半导体材料。其是在利用MPCVD设备制备人造金刚石的过程中，引入硼磷掺杂剂、氢气与甲烷等气体进入MPCVD腔室，同时控制腔室温度、气压与微波功率等参数。所述新型硼磷共掺金刚石半导体材料的受主能级为0.27 eV，对提高P型金刚石半导体电学性能有重要意义，扩大P型金刚石半导体材料在室温下半导体电子器件中的应用前景。
新型硼磷共掺金刚石半导体材料及其制备方法

[发明专利]一种共掺杂金刚石及制备方法与半导体材料、装置-CN201910879808.4有效
发明人：彭建国;陈宏伟;彭伟华;孔智超 -专利权人：北京阿尔玛斯科技有限公司
申请日： 2019-09-17 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： C23C16/27 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种共掺杂金刚石及制备方法与半导体材料、装置，涉及半导体材料领域。共掺杂金刚石的晶格结构包括多个碳原子、一个硼原子、多个硫原子以及多个空位，其不大于0.17％的供体原子提供0.25～0.27eV电离能量的传导电子。共掺杂金刚石的制备方法主要是将金刚石衬底置于热丝反应室中，往热丝反应室内通入氢气至气压达35托以上；将热丝加热至2000～2400℃，金刚石衬底加热至650～1000℃；往热丝反应室内通入含有碳源和硼硫掺杂剂的氢气，在金刚石衬底的晶面上沉积形成硼硫共掺杂金刚石。共掺杂金刚石及制备方法与半导体材料、装置能够得到优质的n型半导体材料，满足金刚石基半导体器件的性能需求。
一种掺杂金刚石制备方法半导体材料装置

[发明专利]一种金刚石基氮化物半导体器件及其制备方法-CN202210061589.0在审
发明人：张粉红;李熙规 -专利权人：化合积电（厦门）半导体科技有限公司
申请日： 2022-01-19 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种金刚石基氮化物半导体器件及其制备方法，其中，所述金刚石基氮化物半导体器件的制备方法，所述方法包括：提供金刚石衬底；在所述金刚石衬底上形成氮化铝缓冲层；在所述氮化铝缓冲层上形成氮化物半导体层叠结构本发明所提供的金刚石基氮化物半导体器件，使氮化物半导体层叠结构得以生长在可横向散热的具有氮化铝缓冲层的金刚石衬底上，从而大大提高氮化镓基电力电子功率转换效率，加速氮化镓基器件更多应用开发，更有利于产业化的生产
一种金刚石氮化物半导体器件及其制备方法

[发明专利]一种电化学刻蚀金刚石半导体薄膜的方法-CN202110437505.4有效
发明人：时康;冯康康 -专利权人：厦门大学
申请日： 2021-04-22 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： C25F3/12 文献下载
摘要：本发明属于半导体制造技术领域，具体公开了一种电化学刻蚀金刚石半导体薄膜的方法。本发明通过将金刚石半导体薄膜浸入电解液中作为电解池的阴极，另采用惰性电极作为电化学电解池的阳极，在阴阳两极间施加电压15～50V的直流电，在常温常压条件下电解金刚石半导体薄膜，对金刚石薄膜表面进行刻蚀，实现对金刚石半导体薄膜的减材加工。本发明从减材加工原理上创新，提出了一种只需采用简单的设备在常温常压下仅一步就可刻蚀金刚石半导体薄膜的新方法，具有较大的经济意义和推广价值。
一种电化学刻蚀金刚石半导体薄膜方法

[发明专利]金刚石半导体系统及方法-CN202111546963.8在审
发明人：亚当·卡恩 -专利权人：阿克汗技术有限公司
申请日： 2012-07-20 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： H01L29/16 文献下载
摘要：本申请涉及金刚石半导体系统及方法。在此披露了一种用于制造金刚石半导体的新型且改良的系统以及方法。该系统可包括具有n型供体原子(306)和金刚石晶格(304)的一种金刚石材料(200)，其中在100kPa和300K，这些供体原子(306)的0.16％将迁移率大于770cm2/Vs的传导电子提供至该金刚石晶格制造金刚石半导体的方法(100)可包括以下步骤：选择一种具有金刚石晶格(304)的金刚石材料(200)；将最小量受体掺杂原子引入至该金刚石晶格(304)中，以建立离子轨道；将置换掺杂原子通过这些离子轨道引入至该金刚石晶格(304)中；并且退火该金刚石晶格(304)。
金刚石半导体系统方法

[发明专利]多晶金刚石自立基板及其制造方法-CN201980086235.8在审
发明人：古贺祥泰 -专利权人：胜高股份有限公司
申请日： 2019-09-25 - 公布日： 2021-10-26 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种制造层叠有高品质的化合物半导体层的多晶金刚石自立基板的方法。以附着于单晶硅基板(10)上的金刚石粒子(14)为核心，通过化学气相沉积法，在单晶硅基板(10)上使厚度为100μm以上的多晶金刚石层(16)生长。此时，将多晶金刚石层的表面(16A)上的晶粒的最大粒径除以多晶金刚石层(16)的厚度的值设为0.20以下。然后，对多晶金刚石层的表面(16A)进行平坦化。然后，通过真空常温接合法或等离子体接合法，在多晶金刚石层(16)上贴合化合物半导体基板(20)。然后，对化合物半导体基板(20)进行减厚而形成化合物半导体层(22)。去除单晶硅基板(10)。如此，获得多晶金刚石层(16)作为化合物半导体层(22)的支撑基板而发挥作用的多晶金刚石自立基板(100)。
多晶金刚石自立及其制造方法

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